Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN55ENEAX
PMN55ENEAX

PMN55ENEAX Nexperia USA Inc.

PMN55ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.40 грн
6000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN55ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMN55ENEAX за ціною від 6.40 грн до 44.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN55ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.38 грн
13+24.91 грн
100+15.83 грн
500+11.19 грн
1000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia PMN55ENEA.pdf MOSFETs PMN55ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.03 грн
13+26.99 грн
100+11.26 грн
1000+10.08 грн
3000+6.92 грн
9000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia pmn55enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : Nexperia pmn55enea.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN55ENEAX PMN55ENEAX Виробник : NEXPERIA pmn55enea.pdf 60 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN55ENEAX Виробник : NEXPERIA PMN55ENEA.pdf PMN55ENEAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.