Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB07R0UNX
PMPB07R0UNX

PMPB07R0UNX Nexperia USA Inc.

PMPB07R0UN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB07R0UNX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 7000 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції PMPB07R0UNX за ціною від 13.58 грн до 55.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX Nexperia USA Inc. PMPB07R0UN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.13 грн
500+15.11 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX Nexperia PMPB07R0UN.pdf MOSFETs PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX NEXPERIA PMPB07R0UN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 7000 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX NEXPERIA PMPB07R0UN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 7000 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.14 грн
10+32.83 грн
100+21.13 грн
500+15.11 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 7000 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB07R0UNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11.6 A, 7000 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.