Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB07R0UNX
PMPB07R0UNX

PMPB07R0UNX Nexperia USA Inc.

PMPB07R0UN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB07R0UNX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMPB07R0UNX за ціною від 9.49 грн до 56.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX Nexperia PMPB07R0UN.pdf MOSFETs PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.01 грн
12+28.06 грн
100+16.60 грн
500+13.01 грн
1000+11.81 грн
3000+10.27 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UNX Nexperia USA Inc. PMPB07R0UN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.17 грн
10+33.45 грн
100+21.53 грн
500+15.39 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.01 грн
12+28.06 грн
100+16.60 грн
500+13.01 грн
1000+11.81 грн
3000+10.27 грн
6000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB07R0UNX PMPB07R0UN.pdf
PMPB07R0UNX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 11.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1696 pF @ 10 V
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+56.17 грн
10+33.45 грн
100+21.53 грн
500+15.39 грн
1000+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.