PMPB07R3ENX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 15 V
Description: PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 15 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.20 грн |
| 10+ | 31.34 грн |
| 100+ | 21.79 грн |
| 500+ | 15.97 грн |
| 1000+ | 12.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB07R3ENX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB07R3ENX за ціною від 11.33 грн до 49.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB07R3ENX | Виробник : Nexperia | MOSFETs PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB07R3ENX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB07R3ENX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB07R3ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.0073 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB07R3ENX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMPB07R3EN/SOT1220-2/DFN2020M- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |