Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB08R4VPHP
PMPB08R4VPHP

PMPB08R4VPHP Nexperia USA Inc.

PMPB08R4VP.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB08R4VPHP Nexperia USA Inc.

Description: PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020M-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V.

Інші пропозиції PMPB08R4VPHP за ціною від 11.82 грн до 59.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB08R4VPHP PMPB08R4VPHP Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB08R4VP.pdf Description: PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+35.86 грн
100+23.14 грн
500+16.58 грн
1000+14.92 грн
2000+13.53 грн
5000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPHP PMPB08R4VPHP Виробник : Nexperia PMPB08R4VP-1919522.pdf MOSFETs PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.