PMPB08R4VPX

PMPB08R4VPX Nexperia


pmpb08r4vp.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB08R4VPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB08R4VPX за ціною від 10.20 грн до 45.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : NEXPERIA PMPB08R4VP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.60 грн
500+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : Nexperia PMPB08R4VP.pdf MOSFETs PMPB08R4VP/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 71624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.81 грн
11+30.97 грн
100+18.64 грн
500+14.68 грн
1000+12.77 грн
3000+11.30 грн
6000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB08R4VP.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
11+28.59 грн
100+19.43 грн
500+14.32 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : NEXPERIA PMPB08R4VP.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R4VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 A, 0.0084 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.61 грн
24+34.33 грн
100+25.60 грн
500+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : NEXPERIA pmpb08r4vp.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 16.7A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : Nexperia pmpb08r4vp.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 12A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R4VPX PMPB08R4VPX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB08R4VP.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.