PMPB08R5XNX

PMPB08R5XNX Nexperia USA Inc.


Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1774 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.80 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB08R5XNX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB08R5XNX за ціною від 10.05 грн до 48.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB08R5XNX PMPB08R5XNX Виробник : NEXPERIA 3187172.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX PMPB08R5XNX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1774 pF @ 15 V
на замовлення 9462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
12+26.91 грн
100+18.31 грн
500+13.48 грн
1000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX PMPB08R5XNX Виробник : Nexperia MOSFETs PMPB08R5XN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.61 грн
12+29.71 грн
100+17.61 грн
500+13.87 грн
1000+12.55 грн
3000+10.86 грн
6000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R5XNX PMPB08R5XNX Виробник : NEXPERIA 3187172.pdf Description: NEXPERIA - PMPB08R5XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0085 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.49 грн
26+32.60 грн
100+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.