Продукція > NEXPERIA > PMPB08R6ENX
PMPB08R6ENX

PMPB08R6ENX Nexperia

pmpb08r6en.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB08R6ENX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMPB08R6ENX за ціною від 7.76 грн до 36.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB08R6ENX PMPB08R6ENX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB08R6EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.25 грн
6000+9.10 грн
9000+8.71 грн
15000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENX PMPB08R6ENX Виробник : Nexperia PMPB08R6EN-1919526.pdf MOSFETs PMPB08R6EN/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.16 грн
13+26.06 грн
100+15.82 грн
500+12.29 грн
1000+10.01 грн
3000+8.90 грн
6000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENX PMPB08R6ENX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB08R6EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
на замовлення 17978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
13+23.68 грн
100+16.05 грн
500+11.77 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENX Виробник : NEXPERIA pmpb08r6en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENX PMPB08R6ENX Виробник : Nexperia pmpb08r6en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB08R6ENX PMPB08R6ENX Виробник : Nexperia pmpb08r6en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.