Продукція > NEXPERIA > PMPB09R1XNX
PMPB09R1XNX

PMPB09R1XNX NEXPERIA

PMPB09R1XN.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+40.07 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB09R1XNX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm.

Інші пропозиції PMPB09R1XNX за ціною від 12.60 грн до 65.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX Nexperia USA Inc. PMPB09R1XN.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.72 грн
100+19.71 грн
500+14.04 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX NEXPERIA PMPB09R1XN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.11 грн
21+40.48 грн
100+40.07 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX Nexperia PMPB09R1XN.pdf MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XN.pdf
PMPB09R1XNX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.73 грн
10+30.72 грн
100+19.71 грн
500+14.04 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XN.pdf
PMPB09R1XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+65.11 грн
21+40.48 грн
100+40.07 грн
500+36.76 грн
1000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XN.pdf
PMPB09R1XNX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.