| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.57 грн |
| 13+ | 26.41 грн |
| 100+ | 15.96 грн |
| 500+ | 12.49 грн |
| 1000+ | 10.34 грн |
| 3000+ | 8.74 грн |
| 6000+ | 8.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB09R1XNX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB09R1XNX за ціною від 12.55 грн до 64.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB09R1XNX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMPB09R1XNX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V |
на замовлення 2932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMPB09R1XNX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 9100 µohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMPB09R1XNX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |