Продукція > NEXPERIA > PMPB09R1XNX
PMPB09R1XNX

PMPB09R1XNX NEXPERIA

PMPB09R1XN.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.06 грн
500+12.49 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB09R1XNX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB09R1XNX за ціною від 9.12 грн до 52.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX Виробник : NEXPERIA PMPB09R1XN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB09R1XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0091 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.35 грн
31+27.48 грн
100+19.06 грн
500+12.49 грн
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX Виробник : Nexperia PMPB09R1XN.pdf MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.47 грн
13+28.00 грн
100+16.92 грн
500+13.24 грн
1000+10.96 грн
3000+9.27 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB09R1XN.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+31.19 грн
100+20.01 грн
500+14.25 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R1XNX PMPB09R1XNX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB09R1XN.pdf Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 9.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.