Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB09R5VPX
PMPB09R5VPX

PMPB09R5VPX Nexperia USA Inc.

PMPB09R5VP.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB09R5VPX Nexperia USA Inc.

Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN2020M-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±8V.

Інші пропозиції PMPB09R5VPX за ціною від 11.81 грн до 42.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB09R5VPX PMPB09R5VPX Nexperia USA Inc. PMPB09R5VP.pdf Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
12+27.40 грн
100+18.44 грн
500+13.15 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX PMPB09R5VPX Nexperia PMPB09R5VP.pdf MOSFETs 30 V, N-channel MOSFET
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX PMPB09R5VP.pdf
PMPB09R5VPX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.33 грн
12+27.40 грн
100+18.44 грн
500+13.15 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB09R5VPX PMPB09R5VP.pdf
PMPB09R5VPX
Виробник: Nexperia
MOSFETs 30 V, N-channel MOSFET
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.