| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3522+ | 4.02 грн |
| 3847+ | 3.68 грн |
| 4226+ | 3.35 грн |
| 4703+ | 2.90 грн |
| 5301+ | 2.38 грн |
| 6049+ | 2.00 грн |
| 7076+ | 1.71 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3522 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB100ENEX Nexperia
Description: MOSFET DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMPB100ENEX за ціною від 2.00 грн до 47.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMPB100ENEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PMPB100ENEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PMPB100ENEX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 7645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PMPB100ENEX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET DFN2020MD-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 15 V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMPB100ENEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 9.06 грн |
| PMPB100ENEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 9.14 грн |
| PMPB100ENEX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 76+ | 9.94 грн |
| 122+ | 6.19 грн |
| 187+ | 4.05 грн |
| 188+ | 3.87 грн |
| 206+ | 3.28 грн |
| 250+ | 2.87 грн |
| 500+ | 2.58 грн |
| 1000+ | 2.29 грн |
| 3000+ | 2.00 грн |
| PMPB100ENEX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 15 V
Description: MOSFET DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 15 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.81 грн |
| 11+ | 28.61 грн |




