PMPB100XPEAX Nexperia
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 4.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB100XPEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.95W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB100XPEAX за ціною від 4.38 грн до 29.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB100XPEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V Vgs (Max): +8V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB100XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB100XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB100XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB100XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.1 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.95W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB100XPEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB100XPEA/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 8120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB100XPEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 4.5V Vgs (Max): +8V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB100XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB100XPEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMPB100XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
PMPB100XPEAX SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |