Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB10XNE,115
PMPB10XNE,115

PMPB10XNE,115 Nexperia USA Inc.

PMPB10XNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB10XNE,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMPB10XNE,115 за ціною від 10.27 грн до 90.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE,115 Nexperia 4380099631634759pmpb10xne.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE,115 Nexperia 4380099631634759pmpb10xne.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE,115 Nexperia 4380099631634759pmpb10xne.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE,115 Nexperia PMPB10XNE.pdf MOSFETs PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+90.49 грн
10+61.57 грн
100+33.84 грн
500+20.99 грн
1000+15.51 грн
3000+11.25 грн
6000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE,115 Nexperia USA Inc. PMPB10XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 4380099631634759pmpb10xne.pdf
PMPB10XNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3139+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 4380099631634759pmpb10xne.pdf
PMPB10XNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 4380099631634759pmpb10xne.pdf
PMPB10XNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE.pdf
PMPB10XNE,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.49 грн
10+61.57 грн
100+33.84 грн
500+20.99 грн
1000+15.51 грн
3000+11.25 грн
6000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE,115 PMPB10XNE.pdf
PMPB10XNE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.