PMPB10XNEAX Nexperia
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 455+ | 10.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB10XNEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB10XNEAX за ціною від 10.64 грн до 54.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PMPB10XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
PMPB10XNEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220 |
товару немає в наявності |