Технічний опис PMPB10XNEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB10XNEAX за ціною від 13.07 грн до 13.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB10XNEAX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
PMPB10XNEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
PMPB10XNEAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
PMPB10XNEAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
PMPB10XNEAX | Nexperia |
MOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB10XNEAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2689+ | 13.07 грн |
| PMPB10XNEAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 55+ | 13.65 грн |
| 1000+ | 13.42 грн |
| 3000+ | 13.20 грн |
| PMPB10XNEAX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1030+ | 13.65 грн |
| PMPB10XNEAX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB10XNEAX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB10XNEAX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
MOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)