PMPB10XNEZ Nexperia USA Inc.


PMPB10XNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB10XNEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMPB10XNEZ за ціною від 8.59 грн до 53.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMPB10XNEZ PMPB10XNEZ Nexperia PMPB10XNE.pdf MOSFETs PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.44 грн
12+28.27 грн
100+16.76 грн
500+13.20 грн
1000+11.73 грн
3000+8.66 грн
6000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEZ PMPB10XNEZ Nexperia USA Inc. PMPB10XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.42 грн
10+31.92 грн
100+20.58 грн
500+14.71 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEZ PMPB10XNE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.44 грн
12+28.27 грн
100+16.76 грн
500+13.20 грн
1000+11.73 грн
3000+8.66 грн
6000+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEZ PMPB10XNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.42 грн
10+31.92 грн
100+20.58 грн
500+14.71 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.