Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB10XNX
PMPB10XNX

PMPB10XNX Nexperia USA Inc.

PMPB10XN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB10XNX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB10XNX за ціною від 10.66 грн до 35.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB10XNX PMPB10XNX Nexperia pmpb10xn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XNX Nexperia USA Inc. PMPB10XN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
13+23.33 грн
100+17.43 грн
500+12.70 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XNX Nexperia PMPB10XN.pdf MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 9.5A
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XNX NEXPERIA NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XNX NEXPERIA NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX pmpb10xn.pdf
PMPB10XNX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XN.pdf
PMPB10XNX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
13+23.33 грн
100+17.43 грн
500+12.70 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX PMPB10XN.pdf
PMPB10XNX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 9.5A
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMPB10XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNX NEXP-S-A0009854142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMPB10XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.