на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB11EN,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB11EN,115 за ціною від 7.36 грн до 24.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 864000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB11EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB11EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 79795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB11EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB11EN/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 26473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PMPB11EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| PMPB11EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMPB11EN.115 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |