Продукція > NEXPERIA > PMPB12R5EPX
PMPB12R5EPX

PMPB12R5EPX NEXPERIA

3207664.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB12R5EPX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PMPB12R5EPX за ціною від 12.29 грн до 48.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB12R5EPX PMPB12R5EPX Виробник : Nexperia PMPB12R5EP-2199736.pdf MOSFET PMPB12R5EP/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 8893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.00 грн
10+39.43 грн
100+25.68 грн
500+20.16 грн
1000+15.60 грн
3000+14.20 грн
9000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPX PMPB12R5EPX Виробник : NEXPERIA 3207664.pdf Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.69 грн
26+32.93 грн
100+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPX PMPB12R5EPX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB12R5EP.pdf Description: PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1392 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPX PMPB12R5EPX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB12R5EP.pdf Description: PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1392 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.