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Технічний опис PMPB12R5EPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції PMPB12R5EPX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PMPB12R5EPX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PMPB12R5EPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 244 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB12R5EPX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
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Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB12R5EPX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)