
PMPB12R5UPEX Nexperia USA Inc.

Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB12R5UPEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB12R5UPEX за ціною від 7.22 грн до 38.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMPB12R5UPEX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB12R5UPEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB12R5UPEX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB12R5UPEX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |