Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB12UNEX
PMPB12UNEX

PMPB12UNEX Nexperia USA Inc.

PMPB12UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB12UNEX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta).

Інші пропозиції PMPB12UNEX за ціною від 13.38 грн до 49.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB12UNEX PMPB12UNEX Nexperia USA Inc. PMPB12UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
11+29.47 грн
50+21.44 грн
100+17.69 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEX PMPB12UNEX Nexperia PMPB12UNE.pdf MOSFETs PMPB12UNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEX PMPB12UNE.pdf
PMPB12UNEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.16 грн
11+29.47 грн
50+21.44 грн
100+17.69 грн
500+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEX PMPB12UNE.pdf
PMPB12UNEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB12UNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.