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Технічний опис PMPB13UPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Інші пропозиції PMPB13UPX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PMPB13UPX | Nexperia |
 MOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 5090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PMPB13UPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PMPB13UPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB13UPX |
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Виробник: Nexperia
MOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
MOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMPB13UPX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB13UPX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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