на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB13XNE,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMPB13XNE,115 за ціною від 6.32 грн до 38.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V |
на замовлення 47423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB13XNE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 5510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB13XNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMPB13XNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; ESD Version: ESD Kind of package: reel; tape Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 32A Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PMPB13XNE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; ESD Version: ESD Kind of package: reel; tape Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 27mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 36nC Technology: Trench Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 32A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |