PMPB13XNEZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 10+ | 33.59 грн |
| 50+ | 24.53 грн |
| 100+ | 20.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB13XNEZ Nexperia USA Inc.
Description: PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції PMPB13XNEZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB13XNEZ | Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V |
на замовлення 4407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMPB13XNEZ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)