на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.31 грн |
| 10+ | 35.70 грн |
| 100+ | 21.63 грн |
| 500+ | 16.92 грн |
| 1000+ | 13.76 грн |
| 3000+ | 11.62 грн |
| 9000+ | 10.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB14R0EPX Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMPB14R0EPX за ціною від 14.21 грн до 56.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB14R0EPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMPB14R0EPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |