Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB14R8XNX
PMPB14R8XNX

PMPB14R8XNX Nexperia USA Inc.

PMPB14R8XN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR PORTABL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.4mOhm @ 7.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.73 грн
12+27.00 грн
100+16.19 грн
500+14.07 грн
1000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB14R8XNX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB14R8XNX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMPB14R8XNX PMPB14R8XNX Nexperia PMPB14R8XN.pdf MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R8XNX PMPB14R8XNX NEXPERIA PMPB14R8XN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R8XNX PMPB14R8XNX NEXPERIA PMPB14R8XN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R8XNX PMPB14R8XN.pdf
PMPB14R8XNX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R8XNX PMPB14R8XN.pdf
PMPB14R8XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R8XNX PMPB14R8XN.pdf
PMPB14R8XNX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14R8XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.0148 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.