PMPB14XNX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.31 грн |
| 6000+ | 9.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB14XNX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMPB14XNX за ціною від 11.96 грн до 48.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB14XNX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMPB14XNX | Nexperia |
MOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 11610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PMPB14XNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMPB14XNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB14XNX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 8700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.93 грн |
| 11+ | 29.17 грн |
| 100+ | 18.73 грн |
| 500+ | 13.33 грн |
| 1000+ | 11.96 грн |
| PMPB14XNX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220
MOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220
на замовлення 11610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMPB14XNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB14XNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.015 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)