| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB14XNX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Інші пропозиції PMPB14XNX за ціною від 10.46 грн до 52.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB14XNX | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 40V 8.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMPB14XNX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V |
на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMPB14XNX | Nexperia |
MOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 23052 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMPB14XNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMPB14XNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMPB14XNX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB14XNX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 40V 8.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 8.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1184+ | 30.07 грн |
| PMPB14XNX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 8.1A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 20 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.68 грн |
| 10+ | 30.75 грн |
| 50+ | 22.46 грн |
| 100+ | 18.53 грн |
| 500+ | 14.06 грн |
| PMPB14XNX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220
MOSFETs PMPB14XN/SOT1220/SOT1220
на замовлення 23052 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.81 грн |
| 13+ | 23.55 грн |
| 100+ | 17.99 грн |
| 500+ | 13.68 грн |
| 3000+ | 10.46 грн |
| PMPB14XNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB14XNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 5302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB14XNX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: NEXPERIA - PMPB14XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)