на замовлення 5893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.28 грн |
| 14+ | 25.96 грн |
| 100+ | 11.93 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |
| 3000+ | 7.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB14XPX Nexperia
Description: MOSFET DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V.
Інші пропозиції PMPB14XPX за ціною від 19.47 грн до 54.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB14XPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET DFN2020MD-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMPB14XPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V |
товару немає в наявності |