PMPB14XPX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.25 грн |
| 12+ | 27.17 грн |
| 50+ | 19.78 грн |
| 100+ | 16.30 грн |
| 500+ | 12.33 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB14XPX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2303 pF @ 6 V.
