PMPB15XP,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.33 грн |
| 6000+ | 8.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB15XP,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMPB15XP,115 за ціною від 8.16 грн до 37.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB15XP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V |
на замовлення 7362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB15XP,115 | Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N-CH 20V 8.2A |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB15XP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMPB15XP,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
на замовлення 7362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.60 грн |
| 11+ | 27.96 грн |
| 100+ | 18.44 грн |
| 500+ | 12.95 грн |
| 1000+ | 10.13 грн |
| PMPB15XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N-CH 20V 8.2A
MOSFETs SOT1220 N-CH 20V 8.2A
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.66 грн |
| 11+ | 30.09 грн |
| 100+ | 17.02 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 10.20 грн |
| 3000+ | 9.14 грн |
| 6000+ | 8.16 грн |
| PMPB15XP,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.