PMPB16R5XNEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 5461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB16R5XNEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB16R5XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0165 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB16R5XNEX за ціною від 7.27 грн до 43.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB16R5XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB16R5XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0165 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB16R5XNEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB16R5XNE/SOT1220-2/DFN2020M |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB16R5XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB16R5XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0165 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB16R5XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMPB16R5XNE - 30 V, N-CHANNEL TR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
на замовлення 7712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|