на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9000+ | 8.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB17EPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB17EPX за ціною від 8.59 грн до 39.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB17EPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB17EPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB17EPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V |
на замовлення 3352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB17EPX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB17EP/SOT1220-2/DFN2020M-6 |
на замовлення 3784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB17EPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB17EPX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB17EPX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R |
товару немає в наявності |