PMPB17EPX

PMPB17EPX Nexperia


pmpb17ep.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB17EPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB17EPX за ціною від 8.61 грн до 39.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB17EP.pdf Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : NEXPERIA 3679931.pdf Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB17EP.pdf Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
12+27.43 грн
100+20.50 грн
500+15.12 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : Nexperia PMPB17EP.pdf MOSFETs PMPB17EP/SOT1220-2/DFN2020M-6
на замовлення 3784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.14 грн
13+26.31 грн
100+18.39 грн
500+13.98 грн
1000+12.21 грн
3000+10.81 грн
6000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : NEXPERIA 3679931.pdf Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : Nexperia pmpb17ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB17EPX PMPB17EPX Виробник : Nexperia pmpb17ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.