PMPB17EPX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB17EPX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB17EPX за ціною від 10.04 грн до 35.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB17EPX | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMPB17EPX | Nexperia USA Inc. |
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020M-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMPB17EPX | Nexperia |
MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 8915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PMPB17EPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMPB17EPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB17EPX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 7.7A 6-Pin DFN-M EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 10.56 грн |
| PMPB17EPX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.73 грн |
| 12+ | 27.07 грн |
| 100+ | 17.39 грн |
| 500+ | 12.37 грн |
| 1000+ | 10.04 грн |
| PMPB17EPX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 8915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMPB17EPX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB17EPX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB17EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0175 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0175ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)