Продукція > NEXPERIA > PMPB20EN,115
PMPB20EN,115

PMPB20EN,115 Nexperia

pmpb20en.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB20EN,115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.

Інші пропозиції PMPB20EN,115 за ціною від 5.89 грн до 37.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia pmpb20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia pmpb20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1566+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 1566
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia pmpb20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 7002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1309+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 1309
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia PMPB20EN.pdf MOSFETs PMPB20EN/SOT1220/SOT1220
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.97 грн
17+21.36 грн
100+9.74 грн
1000+8.30 грн
3000+6.72 грн
9000+6.04 грн
24000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
16+20.21 грн
100+11.45 грн
500+9.36 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB20EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.4 A, 0.0165 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.26 грн
36+23.88 грн
100+13.55 грн
500+10.62 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia pmpb20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia pmpb20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : NEXPERIA pmpb20en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB20EN,115 PMPB20EN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.