PMPB20XNEAX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 460mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 19.65 грн |
| 500+ | 13.67 грн |
| 1000+ | 9.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB20XNEAX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 460mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460mW, Bauform - Transistor: SOT-1220, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції PMPB20XNEAX за ціною від 6.93 грн до 40.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB20XNEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB20XNEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB20XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.5 A, 0.016 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: SOT-1220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMPB20XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAX - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 121502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMPB20XNEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMPB20XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB20XNEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB20XNEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |