PMPB20XNEAZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.02 грн |
| 14+ | 22.45 грн |
| 100+ | 15.20 грн |
| 500+ | 11.12 грн |
| 1000+ | 10.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB20XNEAZ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMPB20XNEAZ за ціною від 7.43 грн до 37.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB20XNEAZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB20XNEA/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 5754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMPB20XNEAZ | Виробник : NXP |
Description: NXP - PMPB20XNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMPB20XNEAZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB20XNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
PMPB20XNEAZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PMPB20XNEAZ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PMPB20XNEAZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |