PMPB215ENEA/FX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.43 грн |
| 10+ | 35.78 грн |
| 50+ | 26.08 грн |
| 100+ | 21.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB215ENEA/FX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMPB215ENEA/FX за ціною від 16.42 грн до 89.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMPB215ENEA/FX | Виробник : NEXPERIA |
PMPB215ENEA/FX SMD N channel transistors |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
PMPB215ENEA/FX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
PMPB215ENEA/FX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
PMPB215ENEA/FX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220 |
товару немає в наявності |