Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB215ENEA/FX
PMPB215ENEA/FX

PMPB215ENEA/FX Nexperia USA Inc.

PMPB215ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB215ENEA/FX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PMPB215ENEA/FX за ціною від 11.30 грн до 33.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEA/FX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
12+27.29 грн
100+18.97 грн
500+13.90 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/FX Виробник : NEXPERIA PMPB215ENEA.pdf PMPB215ENEA/FX SMD N channel transistors
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.09 грн
65+16.74 грн
177+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEA/FX Виробник : NEXPERIA 3892417101971943pmpb215enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEA/FX PMPB215ENEA/FX Виробник : Nexperia PMPB215ENEA-1539724.pdf MOSFET PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.