Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB215ENEAX
PMPB215ENEAX

PMPB215ENEAX Nexperia USA Inc.

PMPB215ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.45 грн
6000+ 8.55 грн
15000+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB215ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PMPB215ENEAX за ціною від 7.59 грн до 36.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.14 грн
11+ 25.94 грн
100+ 17.65 грн
500+ 12.43 грн
1000+ 9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia PMPB215ENEA-1539724.pdf MOSFET PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 17187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.36 грн
12+ 25.81 грн
100+ 16.18 грн
500+ 12.92 грн
1000+ 9.72 грн
3000+ 7.92 грн
6000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : NEXPERIA 3892417101971943pmpb215enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
PMPB215ENEAX Виробник : NEXPERIA PMPB215ENEA.pdf PMPB215ENEAX SMD N channel transistors
товар відсутній