Продукція > NEXPERIA > PMPB215ENEAX
PMPB215ENEAX

PMPB215ENEAX Nexperia

3892417101971943pmpb215enea.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB215ENEAX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMPB215ENEAX за ціною від 7.72 грн до 42.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia 3892417101971943pmpb215enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.86 грн
500+12.18 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia PMPB215ENEA.pdf MOSFETs PMPB215ENEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.37 грн
14+25.63 грн
100+11.55 грн
1000+10.30 грн
3000+8.17 грн
9000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105582-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMPB215ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.19 грн
31+26.74 грн
100+13.86 грн
500+12.18 грн
1000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
12+27.82 грн
100+13.92 грн
500+12.67 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : NEXPERIA 3892417101971943pmpb215enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia 3892417101971943pmpb215enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX Виробник : NEXPERIA PMPB215ENEA.pdf PMPB215ENEAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB215ENEAX PMPB215ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB215ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.