PMPB23XNEZ Nexperia USA Inc.


PMPB23XNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB23XNEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Інші пропозиції PMPB23XNEZ за ціною від 9.71 грн до 50.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMPB23XNEZ PMPB23XNEZ Nexperia USA Inc. PMPB23XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.70 грн
11+28.75 грн
50+20.86 грн
100+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZ PMPB23XNEZ Nexperia PMPB23XNE.pdf MOSFETs SOT1220 N-CH 20V 7A
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.43 грн
14+24.01 грн
100+16.97 грн
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZ PMPB23XNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
на замовлення 5862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.70 грн
11+28.75 грн
50+20.86 грн
100+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB23XNEZ PMPB23XNE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N-CH 20V 7A
на замовлення 4507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+50.43 грн
14+24.01 грн
100+16.97 грн
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.