
PMPB27EPAX Nexperia
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
59+ | 10.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB27EPAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB27EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.1 A, 0.024 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMPB27EPAX за ціною від 9.83 грн до 55.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
PMPB27EPAX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
PMPB27EPAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |