Продукція > NEXPERIA > PMPB29XNE,115
PMPB29XNE,115

PMPB29XNE,115 Nexperia

4374049161943272pmpb29xne.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB29XNE,115 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMPB29XNE,115 за ціною від 6.31 грн до 35.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB29XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.32 грн
14+22.15 грн
100+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 Виробник : Nexperia PMPB29XNE.pdf MOSFETs PMPB29XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.47 грн
15+23.28 грн
100+10.01 грн
3000+7.40 грн
9000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 Виробник : Nexperia 4374049161943272pmpb29xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115 Виробник : NXP Semiconductors PMPB29XNE.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3892+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3892
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 Виробник : NEXPERIA 4374049161943272pmpb29xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 Виробник : Nexperia 4374049161943272pmpb29xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB29XNE,115 PMPB29XNE,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB29XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.