Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB29XNE,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMPB29XNE,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PMPB29XNE,115 | Nexperia |
MOSFETs PMPB29XNE/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 22833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMPB29XNE,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMPB29XNE/SOT1220/SOT1220
MOSFETs PMPB29XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 22833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




