на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB29XPE,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMPB29XPE,115 за ціною від 7.77 грн до 29.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB29XPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB29XPE,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V |
на замовлення 14231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB29XPE,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB29XPE/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 5858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMPB29XPE,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PMPB29XPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| PMPB29XPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -12A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 46mΩ Pulsed drain current: -12A Gate charge: 45nC Polarisation: unipolar Technology: Trench Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: -3.2A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| PMPB29XPE,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3.2A; Idm: -12A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 46mΩ Pulsed drain current: -12A Gate charge: 45nC Polarisation: unipolar Technology: Trench Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: -3.2A |
товар відсутній |