PMPB30XPEX Nexperia USA Inc.


PMPB30XPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +8V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.13 грн
11+27.91 грн
50+20.26 грн
100+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB30XPEX Nexperia USA Inc.

Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): +8V, -12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMPB30XPEX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMPB30XPEX PMPB30XPEX Nexperia USA Inc. PMPB30XPE.pdf Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +8V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEX Nexperia PMPB30XPE.pdf MOSFET PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEX PMPB30XPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1517 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +8V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB30XPEX PMPB30XPE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFET PMPB30XPE/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.