на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB33XP,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMPB33XP,115 за ціною від 6.69 грн до 43.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 24172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB33XP/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 12776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB33XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMPB33XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMPB33XP.115 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PMPB33XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |