Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMPB33XP,115
PMPB33XP,115

PMPB33XP,115 Nexperia USA Inc.

PMPB33XP.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.57 грн
6000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB33XP,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMPB33XP,115 за ціною від 6.33 грн до 33.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMPB33XP,115 PMPB33XP,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB33XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 11221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.7 грн
12+ 23.79 грн
100+ 14.24 грн
500+ 12.37 грн
1000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMPB33XP,115 PMPB33XP,115 Виробник : Nexperia PMPB33XP-2938632.pdf MOSFET PMPB33XP/SOT1220/SOT1220
на замовлення 23797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.95 грн
12+ 26.04 грн
100+ 12.52 грн
1000+ 8.59 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 6.53 грн
24000+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMPB33XP,115 Виробник : NEXPERIA PMPB33XP.pdf PMPB33XP.115 SMD P channel transistors
товар відсутній
PMPB33XP,115 PMPB33XP,115 Виробник : NEXPERIA 4222004122932985pmpb33xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній