на замовлення 1250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3364+ | 9.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB48EP,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMPB48EP,115 за ціною від 7.65 грн до 53.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB48EP,115 | Виробник : Nexperia |
 MOSFETs PMPB48EP/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 3702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMPB48EP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PMPB48EP,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| PMPB48EP,115 | Виробник : NEXPERIA |
PMPB48EP.115 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
PMPB48EP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PMPB48EP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |