Продукція > NEXPERIA > PMPB50ENEX
PMPB50ENEX

PMPB50ENEX Nexperia

pmpb50ene.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2728+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 2728
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB50ENEX Nexperia

Description: MOSFET DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMPB50ENEX за ціною від 4.20 грн до 51.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB50ENEX PMPB50ENEX Виробник : Nexperia pmpb50ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3162+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3162
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEX PMPB50ENEX Виробник : Nexperia pmpb50ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3162+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 3162
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEX PMPB50ENEX Виробник : Nexperia pmpb50ene.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+10.05 грн
128+5.47 грн
131+5.39 грн
133+5.12 грн
135+4.67 грн
137+4.41 грн
250+4.34 грн
500+4.27 грн
1000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEX PMPB50ENEX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB50ENE.pdf Description: MOSFET DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.55 грн
11+30.57 грн
100+19.58 грн
500+13.93 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEX PMPB50ENEX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB50ENE.pdf Description: MOSFET DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB50ENEX PMPB50ENEX Виробник : Nexperia PMPB50ENE-1600139.pdf MOSFET 30V N-CH TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.