PMPB55ENEAX Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.13 грн |
| 9000+ | 10.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB55ENEAX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 1.65W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Інші пропозиції PMPB55ENEAX за ціною від 9.12 грн до 51.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia |
MOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 6381 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6 |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PMPB55ENEAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.65W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.00 грн |
| 9000+ | 11.71 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.57 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 12.96 грн |
| 1000+ | 12.74 грн |
| 3000+ | 12.53 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1133+ | 12.96 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2831+ | 12.97 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.98 грн |
| 9000+ | 12.15 грн |
| 24000+ | 11.87 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.77 грн |
| 6000+ | 13.58 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.77 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.73 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220
MOSFET PMPB55ENEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6381 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.75 грн |
| 16+ | 20.46 грн |
| 100+ | 13.95 грн |
| 500+ | 11.84 грн |
| 1000+ | 10.63 грн |
| 3000+ | 9.35 грн |
| 9000+ | 9.12 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
Description: MOSFET N-CH 60V 4A DFN2020MD-6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.69 грн |
| 10+ | 30.63 грн |
| 50+ | 22.36 грн |
| 100+ | 18.47 грн |
| 500+ | 14.02 грн |
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMPB55ENEAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: NEXPERIA - PMPB55ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.042 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






