PMPB55XNEAX

PMPB55XNEAX Nexperia USA Inc.


PMPB55XNEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB55XNEAX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.95W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB55XNEAX за ціною від 9.91 грн до 50.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Виробник : NEXPERIA 2875124.pdf Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.94 грн
500+11.62 грн
1500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Виробник : NEXPERIA 2875124.pdf Description: NEXPERIA - PMPB55XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.95W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.63 грн
50+24.78 грн
100+18.94 грн
500+11.62 грн
1500+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Виробник : Nexperia PMPB55XNEA.pdf MOSFETs PMPB55XNEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.88 грн
12+28.44 грн
100+16.81 грн
500+13.14 грн
1000+11.38 грн
3000+10.13 грн
6000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAX PMPB55XNEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB55XNEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
10+31.34 грн
100+20.14 грн
500+14.38 грн
1000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB55XNEAX Виробник : NEXPERIA PMPB55XNEA.pdf PMPB55XNEAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.