Технічний опис PMPB85ENEAX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMPB85ENEAX за ціною від 6.80 грн до 40.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 11600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PMPB85ENEAX | Nexperia |
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3A |
на замовлення 4313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PMPB85ENEAX | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.80 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.12 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.20 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.27 грн |
| 6000+ | 8.14 грн |
| 9000+ | 7.93 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3402+ | 10.33 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3402+ | 10.33 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 728+ | 12.86 грн |
| 1000+ | 11.08 грн |
| 3000+ | 10.53 грн |
| 6000+ | 9.62 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 3A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1093+ | 12.86 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 3A DFN2020MD-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.80 грн |
| 13+ | 24.24 грн |
| 100+ | 15.48 грн |
| 500+ | 10.98 грн |
| 1000+ | 9.83 грн |
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3A
MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3A
на замовлення 4313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMPB85ENEAX |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3402+ | 10.33 грн |





