PMPB95ENEA/FX

PMPB95ENEA/FX NXP Semiconductors


PMPB95ENEA.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
на замовлення 5115 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2522+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 2522
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB95ENEA/FX NXP Semiconductors

Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMPB95ENEA/FX за ціною від 11.32 грн до 19.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : Nexperia 4221831392338169pmpb95enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 43130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2689+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 2689
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : Nexperia 4221831392338169pmpb95enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2689+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 2689
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : Nexperia 4221831392338169pmpb95enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : Nexperia 4221831392338169pmpb95enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : NEXPERIA PMPB95ENEA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.33 грн
500+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : NEXPERIA PMPB95ENEA.pdf Description: NEXPERIA - PMPB95ENEA/FX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 2.8 A, 0.08 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+19.68 грн
48+17.21 грн
100+14.33 грн
500+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX Виробник : NEXPERIA PMPB95ENEA.pdf PMPB95ENEA/FX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : NEXPERIA 4221831392338169pmpb95enea.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEA/FX Виробник : Nexperia PMPB95ENEA-1539891.pdf MOSFET PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.