на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB95ENEAX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMPB95ENEAX за ціною від 9.56 грн до 41.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 80 V, single N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMPB95ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMPB95ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
PMPB95ENEAX SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |