PMPB95ENEAX

PMPB95ENEAX NEXPERIA


4221831392338169pmpb95enea.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 2.8A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB95ENEAX NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMPB95ENEAX за ціною від 9.59 грн до 32.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMPB95ENEAX PMPB95ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMPB95ENEAX PMPB95ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB95ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 2.8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.53 грн
12+ 24.14 грн
100+ 16.79 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMPB95ENEAX PMPB95ENEAX Виробник : Nexperia PMPB95ENEA-1539891.pdf MOSFET PMPB95ENEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.86 грн
11+ 28.26 грн
100+ 18.38 грн
500+ 14.45 грн
1000+ 11.19 грн
3000+ 9.92 грн
9000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMPB95ENEAX Виробник : NEXPERIA PMPB95ENEA.pdf PMPB95ENEAX SMD N channel transistors
товар відсутній