на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 12.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMT200EPEX NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 822 pF @ 35 V.
Інші пропозиції PMT200EPEX за ціною від 15.88 грн до 67.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMT200EPEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 822 pF @ 35 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMT200EPEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 822 pF @ 35 V |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMT200EPEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT223 P-CH 70V 2.4A |
на замовлення 15848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|