Продукція > NEXPERIA > PMT200EPEX
PMT200EPEX

PMT200EPEX NEXPERIA

pmt200epe.pdf Виробник: NEXPERIA
P-channel Trench MOSFET
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMT200EPEX NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 822 pF @ 35 V.

Інші пропозиції PMT200EPEX за ціною від 16.96 грн до 75.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMT200EPEX PMT200EPEX Виробник : Nexperia USA Inc. PMT200EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 822 pF @ 35 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+19.43 грн
2000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PMT200EPEX PMT200EPEX Виробник : Nexperia USA Inc. PMT200EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 70V 2.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 822 pF @ 35 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.55 грн
10+42.20 грн
50+30.90 грн
100+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMT200EPEX PMT200EPEX Виробник : Nexperia PMT200EPE.pdf MOSFETs SOT223 P-CH 70V 2.4A
на замовлення 15848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.46 грн
10+45.88 грн
50+29.16 грн
100+25.70 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMT200EPEX PMT200EPEX Виробник : NEXPERIA PMT200EPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -70V; -1.5A; Idm: -9.7A
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -70V
Pulsed drain current: -9.7A
Drain current: -1.5A
Gate charge: 15.9nC
On-state resistance: 0.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.