PMT280ENEAX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 770mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.14 грн |
| 200+ | 33.73 грн |
| 500+ | 23.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMT280ENEAX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 770mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMT280ENEAX за ціною від 13.20 грн до 89.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMT280ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT223 100V 1.5A N-CH TRENCH |
на замовлення 99957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.285 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 770mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PMT280ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PMT280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 1A; Idm: 6A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A Pulsed drain current: 6A Case: SC73; SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 847mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |