PMT560ENEAX

PMT560ENEAX NEXPERIA


2632133.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.95 грн
500+9.48 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMT560ENEAX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PMT560ENEAX за ціною від 6.46 грн до 42.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMT560ENEAX PMT560ENEAX Виробник : NEXPERIA 2632133.pdf Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.63 грн
40+20.58 грн
100+10.95 грн
500+9.48 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMT560ENEAX PMT560ENEAX Виробник : Nexperia PMT560ENEA-1539871.pdf MOSFET PMT560ENEA/SOT223/SC-73
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.48 грн
15+23.29 грн
100+11.82 грн
1000+8.29 грн
2000+7.63 грн
10000+6.61 грн
25000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMT560ENEAX PMT560ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMT560ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 715mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
13+25.30 грн
100+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMT560ENEAX Виробник : NEXPERIA PMT560ENEA.pdf PMT560ENEAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMT560ENEAX PMT560ENEAX Виробник : NEXPERIA 268699941305181pmt560enea.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMT560ENEAX PMT560ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMT560ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 715mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.